
英诺赛科(苏州)半导体有限公司防爆冷库
项目主体:英诺赛科(苏州)半导体有限公司
项目类型:防爆冷库
项目安装地:苏州市吴江区黎里镇来秀路与新黎路路口
温度要求:0℃~10℃
面积容积:526平米

项目简介
英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成,我们相信GaN可以改变世界,我们的目标是以更低的价格,向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件,并且实现GaN技术在市场的广泛应用。
地址:苏州市吴江区黎里镇来秀路与新黎路路口 面积:526平米 防爆等级:IIBT4 库体类型:该冷库的建造结构为彩钢板库体,隔离库外制冷设备,内风机同样也必须具备防爆功能。配备了温度自动控制、自动记录及自动报警装置。客户方使用至今,反响良好。
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